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簡要描述：國儀量子超高分辨分析型一體機場發射掃描電子顯微鏡SEM5000Ultra，兼具低壓高分辨和大束流分析。憑借全電壓范圍出色的分辨率，支持大束流快速高分辨率分析，從換樣到出圖僅需一鍵，為前沿科研與半導體提供關鍵樣品的極簡、高效、高清成像。
產品型號：5000Ultra廠商性質：生產廠家更新時間：2026-10-28訪 問 量：19
詳細介紹
超高分辨分析型一體機場發射掃描電子顯微鏡5000Ultra，優化鏡筒設計，色差降低12%，球差降低20%，綜合像差銳減30%，顯著提升了呈現樣品微觀細節的能力，為客戶還原高保真的真實微觀形貌，確保精密表征與尺寸量測的準確性。
采用雙聚光鏡架構，實現電子束獨立精準調控。兼顧納米級高分辨成像與大束流高效分析，全面提升多維表征能力。
大束流結合高分辨率的掃描電鏡，可在兼顧精細形貌觀測與高效信號激發的前提下，廣泛應用于半導體芯片微觀缺陷檢測、微電子器件表征、納米材料形貌與成分同步分析、鍍層 / 薄膜界面觀測、生物大樣本高倍成像，同時適配電子束曝光、微區元素快速面分布掃描、失效分析等場景，既能看清納米級細微結構，又憑借大束流提升成像速度、增強二次電子與特征 X 射線信號強度，滿足高精度、高效率的綜合檢測需求。
*金標樣/10 kV/15 nA/大束流高分辨
外置光學導航加一鍵成像功能，從放樣到出圖僅需一鍵，立得清晰圖像，效率倍增，簡單易用，人人皆可獲取高質量數據。
在半導體行業內，制程工藝會伴隨各種微觀缺陷，為了保障芯片的高良率，會引入專業的微觀表征設備進行檢測，其中利用掃描電鏡進行高分辨形貌分析是必要的排查手段。
SEM5000Ultra/14 nm芯片/0.7 kV/Inlens
SEM5000Ultra/DRAM/15 kV/Inlens
SEM5000UItra/7 nm FinFET平面/30 kV/BSED
SEM5000Ultra/5 nm FinFET 截面/30 kV/STEM-BF
在生命科學研究中，組織超薄切片STEM成像，成為生物超微結構觀察、標記定位、三維斷層成像、硬組織與病理分析的關鍵手段。
SEM5000Ultra/線粒體雙層膜/30 kV/STEM-BF（來源：西湖大學）
SEM5000Ultra/髓鞘/30 kV/STEM-BF（來源：西湖大學）
在功能與新材料的研發中，微觀形貌與特殊結構直接決定其最終性能。掃描電鏡作為專業表征工具，可以很好的對新材料的微觀形貌表征。
SEM5000Ultra/干法隔膜/0.02 kV/Inlens
SEM5000Ultra/氧化鋁/0.1 kV/Inlens
在金屬材料研發與制造中，零部件常遭遇疲勞或腐蝕失效，為了探究其根本原因，需要借助專業的顯微結構表征設備進行檢測，其中掃描電鏡是極為重要的設備之一。
SEM5000Ultra/鎳合金/20 kV/EDS
SEM5000Ultra/泡沫鎳/20 kV/EDS
在高分子材料研發與改性中，微觀形貌與斷口結構直接決定性能，為了探究其內在機理，利用掃描電鏡進行低電壓形貌觀察是非常重要的表征方法。
SEM5000Ultra/Au-In? O?/0.1 kV/Inlens
SEM5000Ultra/ZIF 67/1 kV/ETD
| 關鍵參數: | 電子槍類型 | 肖特基場發射電子槍 |
| 分辨率 | 0.5 nm @ 15 kV，SE | |
| 0.8 nm @ 1 kV，SE | ||
| 0.7 nm @ 1 kV，SE (樣品臺減速) | ||
| 1.0 nm@0.5 kV，SE | ||
| 1.9 nm@15 kV, 5 nA，WD=8.5 mm | ||
| 0.4 nm@30kV，STEM | ||
| 加速電壓 | 20 V ~ 30 kV | |
| 放大倍率 | 1 ~ 2,500,000x | |
| 電子束流 | 1 pA~50 nA (100 nA可選) | |
| 位移臺(大行程可選): | 位移臺類型 | 五軸機械優中心位移臺 |
| 探測器: | 鏡筒內電子探測器(Inlens) | ● |
| 旁側電子探測器 (ETD) | ● | |
| 插入式背散射電子探測器 (BSED) | ○ | |
| 插入式掃描透射電子探測器 (STEM) | ○ | |
| 能譜儀 (EDS) | ○ | |
| 背散射衍射 (EBSD) | ○ | |
| 擴展: | 樣品臺減速模式 | ○ |
| 樣品交換倉 | ● | |
| 旋鈕板&軌跡球 | ● | |
| *可接受微定制服務 | ● 標配 ○ 選配 |
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