標配光纖耦合CMOS相機
1:1光纖耦合的1600萬像素CMOS相機，電影級成像體驗
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簡要描述：國儀量子200kV場發射透射電鏡TEM-F200，專為材料科學和半導體用戶打造，具備出色的高分辨成像與高靈敏度元素分析能力，靈活的配置方案使其可以勝任復雜的科研和工業應用場景。
產品型號：TEM-F200廠商性質：生產廠家更新時間：2026-10-28訪 問 量：16
詳細介紹
FinFET器件的高分辨透射電子顯微鏡（HRTEM）圖像，可用于觀察器件局部納米結構及晶格條紋細節。
半導體存儲芯片截面的明場透射電子顯微鏡圖像。圖中可見多層薄膜與介質層構成的器件結構。
航空航天用7075鋁合金TEM（左）和HAADF（右）圖像。可見晶內析出相及不連續的晶界析出相。
FeNi納米顆粒的高分辨晶格像。顆粒整體呈近圓形，圖中可見清晰的晶格條紋；對顆粒局部區域進行快速傅里葉變換（FFT）后，呈現規則排列的單晶衍射點，表明該區域具有良好的結晶性。
| 加速電壓： | 20~200kV |
| 信息分辨率： | 0.10nm |
| 點分辨率： | 0.25nm |
| STEM分辨率： | 0.16nm |
| STEM成像模式： | HAADF, ADF, ABF |
| 放大倍數： | 20x~1,200kx |
| Super-EDS (可選)： | 雙100mm2 無窗SDD，對稱布置，能量分辨率≤127eV |
| 可選配置： | EELS, 4D-STEM, 3D-ED, 原位樣品桿 |
國儀量子200kV場發射透射電鏡TEM-F200
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